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SSM3J108TU(TE85L)相关型号
Toshiba热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • SSM3J108TU(TE85L)

  • 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，SSM3J108TU(TE85L)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 包装标准卷带
  • 系列U-MOSIII
  • 零件状态停產
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）20V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）1.8A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）1.8V，4V
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）158 毫欧 @ 800mA，4V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）1V @ 1mA
  • Vgs（最大值）±8V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）250pF @ 10V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）500mW（Ta）
  • 工作温度150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装UFM
  • 封装/外壳3-SMD，扁平引线

其它信息

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