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DF2S6.8CT,L3F相关型号

TPCF8107,LF

MOSFET P-CH 30V 6A VS-8
SSM3K15ACTC,L3F

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X34 SMALL LOW ON RESISTANCE NCH
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SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2
3SK293(TE85L,F)

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2SK209-Y(TE85L,F)

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2SK209-GR(TE85L,F)

JFET N-CH SOT23

Toshiba热销型号

TC7WZ32FK,LJ(CT

IC GATE OR 2CH 4-INP US8
TC7WZ08FK,LJ(CT

IC GATE AND 2CH 4-INP US8
TC7WHU04FU,LJ(CT

IC INVERTER 3CH 3-INP SM8
TC7WHU04FK,LJ(CT

IC INVERTER 3CH 3-INP US8
TC7SZ00FE,LM

IC GATE NAND 1CH 2-INP ESV
TC7SET04F,LJ(CT

IC INVERTER 1CH 1-INP SMV
7UL1T32FU,LF

L-MOS LVP SERIES GATE OR VCC:2.3
74LCX05FT

IC INVERTER 6CH 6-INP 14TSSOP

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DF2S6.8CT,L3F

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

批号：19+

描述：ESD PROTECTION DIODE (STANDARD T

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详细参数

包装标准卷带
系列-
零件状态有源
类型齐纳
单向通道1
双向通道1
电压 - 反向关态（典型值）-
电压 - 击穿（最小值）6.4V
电压 - 箝位（最大值）@ Ipp-
电流 - 峰值脉冲（10/1000µs）-
功率 - 峰值脉冲-
电源线路保护无
应用通用
不同频率时的电容25pF @ 1MHz
工作温度150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
封装/外壳SOD-882
供应商器件封装CST2

其它信息

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