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TPN4R806PL,L1Q相关型号
Toshiba热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • TPN4R806PL,L1Q

  • 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 批号：19+
  • 描述：X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，TPN4R806PL,L1Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 包装Digi-Reel® 得捷定制卷带
  • 系列U-MOSIX-H
  • 零件状态有源
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）60V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）72A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）3.5 毫欧 @ 36A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.5V @ 300µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）29nC @ 10V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2770pF @ 30V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）630mW（Ta）, 104W（Tc）
  • 工作温度175°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-TSON Advance（3.3x3.3）
  • 封装/外壳8-PowerVDFN

其它信息

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